在大照射野下，給出的電子能量分別測量雜散 X 射線占總吸收劑量的劑量比。


 

WEK-WS674加速器M區內外測量支架，WEK-WS674 M區內外測量支架配置清單：

名稱	數量	規格和用途
探測器盤放置劑量片孔	41個	41個劑量片放置孔布置在圓盤不同位置上
鋁管放置劑量片孔	32個
鋁管1	8件	10×10mm，長1448mm；鋁管1，3，5，7，9，11，13，15編號與圓盤對應編號連接在一起
鋁管2	8件	10×10mm，長965mm；鋁管2，4，6，8，10，12，14，16編號與圓盤對應編號連接在一起
定位銷鑼絲	16	M6鑼絲用來固定鋁管與器盤連續
探測器托盤	1件	用于放置探測元件
安裝說明書	1份	/

測試方法：
X 射線照射時相對表面劑量檢測方法
 
應在體模中測量，體模各邊比照射野至少大 5 cm；體模的深度至少比測量深度大 5 cm，入射表 面垂直于參考軸，探測器放置在正常距離。
應從輻射束中移開所有不用工具就可取下的輻射束形成裝置，所有均整過濾器應留在其規定位置上，在大照射野下，對表 2 中給出的電子能量分別測量相對表面劑量。
 
透過限束裝置的泄漏輻射檢測方法
X 射線穿過限束裝置
測量條件如下：
 
用至少 2 個十分之一值層的 X 射線吸收材料將射線出線口屏蔽。對非重疊式限束裝置，應在小照射野尺寸下測量；
大泄漏輻射處用輻射探測器測量，輻射探測器的橫截面應≤1 cm2；
應在體模中大吸收劑量深度處測量。
泄漏輻射測量按如下方法進行：
 
將矩形照射野對稱地設定成大（X 方向）乘小（Y 方向）；
用輻射探測器測量 24 個點，確定其平均值，求出相對于大吸收劑量的百分比值；
再對稱地設定小（X 方向）乘大（Y 方向）照射野，重復 A.3.1.2 b）的檢測；
對所有的 X 射線能量，重復上述測量。
如果有一個多元限束裝置，則打開可調節或可互換的限束裝置，以產生一個面積約為 300 cm2（約 18 cm×18 cm）的正方形照射野。把多元限束裝置關閉到與該照射野協調一致的小值，用輻射探測器測量多元限束裝置屏蔽的區域。
電子線穿過限束裝置
測量條件如下：
用 10 mm 與組織等效的材料作為建成模擬構成，對所有尺寸的電子束限束器/限束系統，在對 應的大和小能量下，基于型式試驗中規定的電子能量所測數據的不利組合下，在正常治 療距離處做射線攝影；
在幾何照射周邊外 2 cm 處的線和 M 區域邊界之間區域中定出大吸收劑量點的位置；
用一橫截面不大于 1 cm2 的輻射探測器進行測量，探頭對于從輻射探測器下面的物質散射的輻射要有足夠的防護。
 
按如下方法進行測量：
 
在 M區 中，沿八條分割線，以 2 cm 的間隔，從幾何照射野周邊外 5 cm 的點到 M 邊 界內，用輻射探測器測量；
對每個電子束限束器/限束系統，確定輻射探測器讀數的平均值對應參考軸上正常距離處 大吸收劑量的百分比值。

M 區域外的泄漏輻射測量（中子除外）
測量條件如下：
 
基于型式實驗，在給出大泄漏輻射的組合條件下；
在所有的 X 射線能量和在的電子線能量下，確定大泄漏輻射的點，在這些點上用輻射探測器測量。